随着电动车市场竞争的日益激烈，消费者和商家对整车的质量及可靠性要求越来越高。与此同时，作为整车四大件之一的控制器的技术也不断成熟，可靠性也越来越高，质量已进入一个相对稳定的时期。由于在控制器的生产和使用过程中不可避免地会遇到相线短路的情况，如电机的线圈短路就会直接导致控制器的相线短路。因此，必须设计短路保护功能以提高控制器的可靠性。在实际应用中，许多工程师面往往忽略了短路保护时间设计的问题，因此本文就如何确定短路保护时间作一些探讨，以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。
1 短路模型及分析
短路模型如图1所示，其中仅画出了功率输出级的A、B两相（共三相）。Q1和Q3为A相MOSFET，Q2和Q4为B相MOSFET，所有功率MOSFET均为AOT430。L1为电机线圈，Rs为电流检测电阻。
当控制器工作时，如电机短路，则会形成如图1中所示的流经Q2，Q3的短路电流，其电流值很大，达几百安培，MOSFET的瞬态温升很大，这种情况下应及时保护，否则会使MOSFET结点温度过高而使MOSFET损坏。短路时Q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的MOSFET能承受45us的大电流短路，而图2b中的MOSFET不能承受45us的大电流短路，当脉冲45us关断后，Vds回升，由于温度过高，仅经过10us的时间MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500A，这是由于短路时MOSFET直接将电源正负极短路，回路阻抗是导线，PCB走线及MOSFET的Rds（on）之和，其数值很小，一般为几十毫欧至几百毫欧。
2 计算合理的保护时间
在实际应用中，不同设计的控制器，其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同，导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。
短路保护时间计算步骤：
2．1 计算MOSFET短路时允许的瞬态温升
因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：
Tj = Tc + P × Rth(jc)
其中：
Tc：MOSFET表面温度
Tj：MOSFET结点温度
Rth（jc）：结点至表面的热阻，可从元器件Date sheet中查得。
一般来说，一只控制器输出功率为350W时，并且采用同步整流技术，续流侧MOSFET的耗散功率为20W左右，即P=20W。同时我们假设MOSFET工作时的表面温度Tc为100℃（炎热的夏季MOSFET的表面温度一般都会达到此值），则：Tj = Tc+P× Rth(jc) = 100+20×0.45 = 109℃。
理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising = Tjmax - Tj = 175-109 = 66℃。
2．2 根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻
由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：
P = Vds × I = 25 × 400 = 10000W
脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较精确的脉冲功率数据。
对于MOSFET温升计算有如下公式：
Trising = P × Zθjc × Rθjc
其中：
Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Date sheet中查得。
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