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东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
转载 :  zaoche168.com   2022年08月30日

中国上海2022830——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件---[1][2]TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括51200V产品和5650V产品,已于今日开始出货。

 

 

 

新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5],同时降低导通电阻和开关损耗。因此,新产品有助于提高设备效率。

东芝将进一步壮大其功率器件产品线,强化生产设施,并通过提供易于使用的高性能功率器件,努力实现碳中和经济。

Ø 应用:

- 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)

- 电动汽车充电站

- 光伏变频器

- 不间断电源(UPS

Ø 特性:

- 单位面积导通电阻低(RDS(ON)A

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd

- 低二极管正向电压:VDSF-1.35V(典型值)@VGS-5V

Ø 主要规格:

(除非另有说明,Ta25

器件型号

封装

绝对最大额定值

电气特性

库存查询与购买

-电压

VDSSV

-电压

VGSSV

漏极电流

DC

IDA

-导通电阻

RDS(ON)

典型值(

阈值电压

VthV

总栅电荷

Qg

典型值(nC

-电荷

Qgd

典型值(nC

输入电容

Ciss

典型值(pF

二极管正向电压

VDSF典型值

V

@Tc25

@VGS18V

@VDS10V

@VDS400V

F100kHz

@VGS-5V

TO-247

1200

-1025

100

15

3.05.0

158

23

6000

-1.35

60

30

82

13

2925

40

45

57

8.9

1969

36

60

46

7.8

1530

20

140

24

4.2

691

650

100

15

128

19

4850

58

27

65

10

2288

40

48

41

6.2

1362

30

83

28

3.9

873

20

107

21

2.3

600

 

注:

[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构,东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(RDS(ON)A),同时降低区域反馈电容的器件架构。

[2] MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管。

[3] 当第二代SiC MOSFETRDS(ON)A被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

[4] 当第二代SiC MOSFETRDS(ON)*Qgd被设为1时,与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。

 

 

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。

 

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商,公司累积了半个多世纪的经验和创新,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSIHDD领域的杰出解决方案。

公司23,100名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化,东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,公司现已拥有超过7,110亿日元(62亿美元)的年销售额,期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

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